單項(xiàng)選擇題注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
A.能量
B.溫度
C.劑量
D.質(zhì)量
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1.單項(xiàng)選擇題摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
A.30~60分鐘
B.10~20分鐘
C.60~90分鐘
D.100~120分鐘
2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
A.最低摻雜劑量
B.臨界劑量
C.損傷劑量
D.摻雜劑量
3.多項(xiàng)選擇題下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au
4.多項(xiàng)選擇題鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
A.有效柵寬變窄
B.電流減少
C.電容增加
D.電阻增大
5.多項(xiàng)選擇題消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
A.選擇合適的掩蔽膜
B.在氧化前，將窗口處的硅腐蝕掉深度，再進(jìn)行局部氧化
C.退火
D.高壓氧化工藝
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三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
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