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填空題基區(qū)穿通是指當集電結(jié)反向電壓增加到使耗盡區(qū)將（）全部占據(jù)時，集電極電流急劇增大的現(xiàn)象。防止基區(qū)穿通的措施是（）基區(qū)寬度、（）基區(qū)摻雜濃度。

1.填空題當集電結(jié)反偏增加時，集電結(jié)耗盡區(qū)寬度會（），使基區(qū)寬度（），從而使集電極電流（），這就是基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（）。

2.填空題當晶體管處于放大區(qū)時，理想情況下集電極電流隨集電結(jié)反偏的增加而（）。但實際情況下集電極電流隨集電結(jié)反偏增加而（），這稱為（）效應(yīng)。

3.填空題在異質(zhì)結(jié)雙極晶體管中，發(fā)射區(qū)的禁帶寬度（）于基區(qū)的禁帶寬度，從而使異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的（）大于同質(zhì)結(jié)雙極晶體管的。

4.填空題發(fā)射區(qū)重摻雜效應(yīng)是指當發(fā)射區(qū)摻雜濃度太高時，不但不能提高（），反而會使其（）。造成發(fā)射區(qū)重摻雜效應(yīng)的原因是（）和（）。

5.填空題小電流時會（）。這是由于小電流時，發(fā)射極電流中（）的比例增大，使注入效率下降。