最新試題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型:判斷題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)?()
題型:單項選擇題
芯片粘接的工藝過程包括()。
題型:多項選擇題
摻雜后退火時間一般在()。
題型:單項選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
題型:多項選擇題
常壓的硅外延方法有()。
題型:多項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:單項選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:單項選擇題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:單項選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型:判斷題