最新試題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用()。
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型:判斷題