最新試題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
題型:單項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
題型:多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)?()
題型:單項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
題型:多項(xiàng)選擇題