填空題由于O₂在SiO₂中的擴(kuò)散率遠(yuǎn)（）于Si 在SiO₂中的擴(kuò)散率，所以氧化反應(yīng)是由O₂穿過(guò)SiO₂層，在（）界面與Si原子反應(yīng)。相同溫度下，濕氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因?yàn)樵赟iO₂中，H₂O比O₂有更（）的擴(kuò)散率和溶解度。由于N₂和Si在Si₃N₄中的擴(kuò)散率都很（），所以很難在Si襯底上熱生長(zhǎng)Si₃N₄。通常在Si襯底上用（）法沉積Si₃N₄薄膜。

參考答案： 高；Si-SiO₂；高；高；低；PECVD