單項選擇題?下列哪種工藝所制備的氧化層質量最好？（）

A.水汽氧化
B.干氧氧化
C.濕氧氧化
D.化學氣相淀積


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2.多項選擇題硅片制備最先進的拋光工藝是（）。

A.化學拋光
B.機械拋光
C.化學機械拋光
D.CMP

3.多項選擇題現(xiàn)代硅單晶制備所需電子級多晶硅的純度是（）。

A.分析純
B.化學純
C.99.9999999%
D.9個N

4.多項選擇題相對于其他半導體，硅半導體的重要性體現(xiàn)在（）。

A.工藝最先進
B.材料性能優(yōu)良
C.工藝成本低
D.晶圓尺寸最大

5.多項選擇題對第一只晶體管描述正確的是（）。

A.是1947年Bell實驗室發(fā)明的
B.是Ge（鍺）晶體管
C.是Si（硅）晶體管
D.是1971年Intel發(fā)明的