單項(xiàng)選擇題

直拉法制備硅單晶的工藝步驟順序是（）。
A.引晶（下種）
B.放肩
C.收尾
D.收頸
E.等徑生長(zhǎng)

A.ADBEC
B.ABCDE
C.ACBDE
D.ABDEC


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1.多項(xiàng)選擇題硅片制備最先進(jìn)的拋光工藝是（）。

A.化學(xué)拋光
B.機(jī)械拋光
C.化學(xué)機(jī)械拋光
D.CMP

2.多項(xiàng)選擇題現(xiàn)代硅單晶制備所需電子級(jí)多晶硅的純度是（）。

A.分析純
B.化學(xué)純
C.99.9999999%
D.9個(gè)N

3.多項(xiàng)選擇題相對(duì)于其他半導(dǎo)體，硅半導(dǎo)體的重要性體現(xiàn)在（）。

A.工藝最先進(jìn)
B.材料性能優(yōu)良
C.工藝成本低
D.晶圓尺寸最大

4.多項(xiàng)選擇題對(duì)第一只晶體管描述正確的是（）。

A.是1947年Bell實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的
B.是Ge（鍺）晶體管
C.是Si（硅）晶體管
D.是1971年Intel發(fā)明的

5.單項(xiàng)選擇題對(duì)摩爾定律描述不正確的是（）。

A.集成度每18月翻一番
B.最小特征尺寸每3年減小50%
C.最小特征尺寸每3年減小70%
D.集成度每三年翻一番