問答題列出光刻工藝的十個(gè)步驟，并簡(jiǎn)述每一步的目的。
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
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下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
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摻雜后，退火的目的是（）。
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刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
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濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
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常壓的硅外延方法有（）。
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目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
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題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題