問答題畫出P型（100）、（111）和N型（100）、（111）單晶拋光硅片的外形判別示意圖。
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下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題