填空題半導(dǎo)體集成電路主要的襯底材料有單元晶體材料()、()和化合物晶體材料()、();硅COMS集成電路襯底單晶的晶向常選();TTL集成電路襯底材料的晶向常選();常用的硅集成電路介電薄膜是()、();常用的IC互連線金屬材料是()、()。
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最新試題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)?()
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進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
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CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
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摻雜后退火時(shí)間一般在()。
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刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
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封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:單項(xiàng)選擇題