最新試題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標？（）
題型：單項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項選擇題