單項選擇題典型的薄膜生長工藝一般采用物理氣相淀積法進行，以下不屬于物理氣相淀積工藝的為（）。
A.真空蒸鍍
B.濺射鍍膜
C.化學鍍
D.電鍍
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1.多項選擇題鑒定加速試驗中，溫度相關(guān)的試驗包括（）。
A.恒溫試驗
B.功率溫度組合循環(huán)試驗
C.溫度循環(huán)試驗
D.熱沖擊試驗
2.單項選擇題溫度循環(huán)試驗是在溫度均值上應用一定幅值的溫度變化，溫度變化的速率是（）。
A.快速的
B.可變的
C.與溫度沒有關(guān)系
D.固定的
3.多項選擇題集成電路的電學測試包括功能測試和參數(shù)測試，以下屬于電學測試的為（）。
A.電流
B.電場強度
C.電壓
D.阻抗
4.單項選擇題以下電子產(chǎn)品的測試方法，屬于破壞性測試的為（）。
A.選擇性剝層
B.透射電鏡掃描
C.X射線檢測
D.紅外光譜分析
5.單項選擇題要觀察半導體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷，應使用（）。
A.掃描電子顯微鏡
B.光學顯微鏡
C.透射電子顯微鏡
D.原子力顯微鏡