單項(xiàng)選擇題要觀察半導(dǎo)體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷,應(yīng)使用()。
A.掃描電子顯微鏡
B.光學(xué)顯微鏡
C.透射電子顯微鏡
D.原子力顯微鏡
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1.多項(xiàng)選擇題芯片發(fā)生失效的機(jī)理包括()。
A.疲勞
B.磨損
C.過壓力
D.過應(yīng)力
2.單項(xiàng)選擇題引起芯片翹曲的原因,是由于施加到元器件上的力()。
A.過小
B.消失
C.不平衡
D.過大
3.單項(xiàng)選擇題下列封裝形式,最容易發(fā)生底座偏移的為()。
A.薄型小尺寸封裝
B.球柵陣列封裝
C.單列直插式封裝
D.雙列直插式封裝
4.單項(xiàng)選擇題材料的體積、面積或長(zhǎng)度隨溫度的變化而變化,這是材料的()。
A.熱膨脹系數(shù)
B.熱失配系數(shù)
C.熱應(yīng)力系數(shù)
D.熱應(yīng)變系數(shù)
5.單項(xiàng)選擇題潮氣滲透可用以下哪種方法測(cè)定?()
A.稱重池
B.隔離池
C.吸收因子
D.膨脹系數(shù)
最新試題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有()。
題型:多項(xiàng)選擇題