多項選擇題關(guān)于費米分布函數(shù)的說法,哪些是正確的?()
A.它表明能量為E的狀態(tài)被占據(jù)的幾率
B.取值范圍為0%~100%
C.根據(jù)這個函數(shù),溫度越高,導(dǎo)帶能級被占據(jù)的幾率越小
D.費米能級被占據(jù)的幾率是50%
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1.多項選擇題絕對零度時,純硅中()。
A.沒有可動空穴
B.沒有可動電子
C.沒有可動載流子
D.沒有聲子
2.多項選擇題關(guān)于硅中載流子激發(fā)的說法中,錯誤的有()。
A.雜質(zhì)激發(fā)主要發(fā)生在高溫段
B.本征激發(fā)主要發(fā)生在低溫段
C.絕對零度時不存在雜質(zhì)激發(fā)
D.本征激發(fā)的載流子濃度是多子濃度
3.多項選擇題半導(dǎo)體中的載流子濃度會收到哪些因素的影響?()
A.復(fù)合過程與機理
B.材料的質(zhì)量密度
C.材料本身
D.溫度
E.摻雜濃度
4.多項選擇題導(dǎo)帶電子運動到價帶后()。
A.可能釋放出光子
B.可能激發(fā)晶格振動
C.帶隙消失
D.也許會適當(dāng)出熱量
5.多項選擇題純硅中摻雜一定濃度的硼元素之后()。
A.費米能級降低
B.電子濃度增大
C.本征載流子濃度增大
D.空穴濃度增大
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MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
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P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
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理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
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MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
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第一塊集成電路發(fā)明于()年。
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處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
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