多項(xiàng)選擇題絕對(duì)零度時(shí),純硅中()。
A.沒有可動(dòng)空穴
B.沒有可動(dòng)電子
C.沒有可動(dòng)載流子
D.沒有聲子
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1.多項(xiàng)選擇題關(guān)于硅中載流子激發(fā)的說法中,錯(cuò)誤的有()。
A.雜質(zhì)激發(fā)主要發(fā)生在高溫段
B.本征激發(fā)主要發(fā)生在低溫段
C.絕對(duì)零度時(shí)不存在雜質(zhì)激發(fā)
D.本征激發(fā)的載流子濃度是多子濃度
2.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體中的載流子濃度會(huì)收到哪些因素的影響?()
A.復(fù)合過程與機(jī)理
B.材料的質(zhì)量密度
C.材料本身
D.溫度
E.摻雜濃度
3.多項(xiàng)選擇題導(dǎo)帶電子運(yùn)動(dòng)到價(jià)帶后()。
A.可能釋放出光子
B.可能激發(fā)晶格振動(dòng)
C.帶隙消失
D.也許會(huì)適當(dāng)出熱量
4.多項(xiàng)選擇題純硅中摻雜一定濃度的硼元素之后()。
A.費(fèi)米能級(jí)降低
B.電子濃度增大
C.本征載流子濃度增大
D.空穴濃度增大
5.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體物理與器件課程的三大特點(diǎn)是()。
A.基礎(chǔ)性
B.抽象性
C.理論性
D.實(shí)踐性
最新試題
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型:填空題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型:判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型:判斷題
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
題型:填空題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題