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你可能感興趣的試題
A.熱擊穿
B.齊納擊穿
C.雪崩擊穿
D.以上都可以
A.正弦信號
B.三角波信號
C.格雷碼信號
D.數(shù)字圖像信號
A.+5，自由電子
B.+5，空穴
C.+3，自由電子
D.+3，空穴
A.+5，自由電子
B.+5，空穴
C.+3，自由電子
D.+3，空穴
A.理想二極管
B.恒壓降模型
C.折線模型
D.數(shù)學(xué)模型
最新試題
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當輸入為以下哪種狀態(tài)時會出現(xiàn)冒險現(xiàn)象？（）
CG放大器因其輸入電阻過小，因此沒什么用處。
?MOSFET源極漏極間的長度L越大，溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
?在使用verilog描述一個二選一的數(shù)據(jù)選擇器時，使用一條語句來進行描述assign out1=（sel &b）∣（~sel &a），這條語句對應(yīng)的是（）。
在對數(shù)字鐘計時、校時模塊進行仿真時，設(shè)秒信號的周期為10ns，若要觀察24時制計數(shù)是否正確，那么在復(fù)位信號無效，計時使能信號有效的情況下，仿真需運行多長時間？（）
以下哪個MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級？?（）
?數(shù)字頻率計設(shè)計中的測頻計數(shù)模塊共有多少個狀態(tài)？（）
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時，溝道夾斷點向漏極移動。
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?