單項(xiàng)選擇題?以下不屬于真空蒸發(fā)過程的是()。
A.氣相輸運(yùn)
B.薄膜淀積
C.薄膜定向
D.加熱蒸發(fā)
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1.單項(xiàng)選擇題以下磷(P)源屬于氣態(tài)源的是()。
A.POCl3
B.P2O5
C.PH3
D.PCl3
2.單項(xiàng)選擇題?以下哪一項(xiàng)不屬于擴(kuò)散的局限性?()
A.工藝簡(jiǎn)單
B.高溫、深結(jié)
C.不能獨(dú)立控制結(jié)深和濃度
D.橫向擴(kuò)散
3.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的雜質(zhì)分布包括()和有限表面源分布。
A.無限表面源分布
B.雜質(zhì)總量分布
C.恒定表面源分布
D.表面源分布
4.單項(xiàng)選擇題根據(jù)擴(kuò)散系數(shù)的定義,其受以下哪個(gè)因素的影響最大?()
A.雜質(zhì)類型
B.擴(kuò)散時(shí)間
C.雜質(zhì)激活能
D.溫度
5.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的微觀機(jī)制包括間隙式擴(kuò)散和()。
A.面擴(kuò)散
B.均勻擴(kuò)散
C.梯度擴(kuò)散
D.替位式擴(kuò)散
最新試題
以下不屬于打碼目的的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn),說法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序,而倒裝芯片則合二為一。
題型:判斷題
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型:判斷題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型:判斷題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有()。
題型:多項(xiàng)選擇題