單項(xiàng)選擇題以下不屬于電子束加熱的優(yōu)點(diǎn)的是()。
A.蒸發(fā)溫度高
B.工藝設(shè)備簡單
C.熱效率高
D.高純度淀積
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題?以下不屬于真空蒸發(fā)過程的是()。
A.氣相輸運(yùn)
B.薄膜淀積
C.薄膜定向
D.加熱蒸發(fā)
2.單項(xiàng)選擇題以下磷(P)源屬于氣態(tài)源的是()。
A.POCl3
B.P2O5
C.PH3
D.PCl3
3.單項(xiàng)選擇題?以下哪一項(xiàng)不屬于擴(kuò)散的局限性?()
A.工藝簡單
B.高溫、深結(jié)
C.不能獨(dú)立控制結(jié)深和濃度
D.橫向擴(kuò)散
4.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的雜質(zhì)分布包括()和有限表面源分布。
A.無限表面源分布
B.雜質(zhì)總量分布
C.恒定表面源分布
D.表面源分布
5.單項(xiàng)選擇題根據(jù)擴(kuò)散系數(shù)的定義,其受以下哪個因素的影響最大?()
A.雜質(zhì)類型
B.擴(kuò)散時間
C.雜質(zhì)激活能
D.溫度
最新試題
鍵合工藝失效,焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展,同時伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng),()再次來到大眾視線
題型:單項(xiàng)選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框(L/F),對設(shè)定的電性能無法調(diào)整,而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更,得到所需的電性能。
題型:判斷題
按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類,說法錯誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
因?yàn)镼FP封裝的可靠性高,且其封裝外形尺寸較小,寄生參數(shù)減小,故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型:判斷題
引線鍵合的參數(shù)主要包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型:判斷題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型:判斷題