判斷題一般的MOS管的輸出特性曲線可以分為三個區(qū)，即可調電阻區(qū)、飽和工作區(qū)和擊穿工作區(qū)。
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4.判斷題電子親合力是真空能級與導帶底的差值。
5.多項選擇題關于pn結空間電荷區(qū)的說法正確的有（）。
A.寬度大約幾百個微米
B.其寬度與外加偏置電壓大小有關
C.反向偏置寬度增大
D.正向偏置寬度增大
E.內部存在著熱平衡載流子
F.與p區(qū)和n區(qū)相比最容易失效
最新試題
p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題