單項選擇題集成電路版圖設(shè)計中不是MOS管的可變參數(shù)是()。?
A.柵長(gate_length)
B.氧化層厚度
C.柵寬(gate_width)
D.柵指數(shù)(gates)
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1.單項選擇題集成電路版圖設(shè)計規(guī)則(Design Rules)沒有提供的規(guī)則是()。
A.各層的最小寬度
B.層與層之間的最小間距
C.摻雜濃度
D.層與層之間的最小交疊
2.單項選擇題集成電路版圖設(shè)計規(guī)則(Design Rules)文件是由()制定提供的。?
A.Foundry(集成電路制造公司)
B.集成電路設(shè)計公司
C.集成電路測試公司
D.集成電路封裝公司
3.單項選擇題以下不是版圖驗證的流程是()。?
A.DRC
B.ERC
C.CLVS
D.P&R
4.單項選擇題以下集成電路版圖(Layout)設(shè)計技術(shù)及方法,不正確的是()。
A.版圖設(shè)計之前需要科學規(guī)劃
B.合理設(shè)計金屬連線的寬度
C.襯底應(yīng)該保證良好的接地
D.電路中較長的走線,不需要考慮到電阻效應(yīng)
5.單項選擇題集成電路設(shè)計及制造中,版圖(Layout)與掩膜(Mask)的關(guān)系是()。?
A.根據(jù)版圖提供的信息來制造掩膜
B.根據(jù)掩膜提供的信息來設(shè)計版圖
C.版圖(Layout)與掩膜(Mask)的毫無關(guān)系
D.不確定
最新試題
引線鍵合的參數(shù)主要包括()。
題型:多項選擇題
按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類,說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
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制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
題型:多項選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
根據(jù)焊點的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項選擇題
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
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倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項選擇題
AUBM的形成可以采用()方法。
題型:多項選擇題