問(wèn)答題解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
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1.問(wèn)答題離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？
2.問(wèn)答題例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
4.問(wèn)答題例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
5.問(wèn)答題什么是結(jié)深？
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解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？
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例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點(diǎn)。
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光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個(gè)重要參數(shù)是什么？
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描述電子回旋共振（ECR）。
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例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
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刻蝕工藝有哪兩種類型？簡(jiǎn)單描述各類刻蝕工藝。
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什么是結(jié)深？
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例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
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例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。
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描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。
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