連續(xù)噴霧顯影、旋覆浸沒顯影。 顯影溫度，顯影時間，顯影液量，硅片洗盤，當(dāng)量濃度，清洗，排風(fēng)。
最新試題
例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點。
描述電子回旋共振（ECR）。
描述RF濺射系統(tǒng)。
解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機理和物理機理。
定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
解釋離子束擴展和空間電荷中和。
描述化學(xué)機械平坦化工藝。
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？
離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？
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