微電子學章節(jié)練習(2019.12.12)

來源:考試資料網(wǎng)
參考答案:原理:臨時性地涂覆在硅片表面,通過曝光轉(zhuǎn)移設計圖形到光刻膠上。
負膠特性:
1曝光后不可溶解
參考答案:離子能量、離子種類和襯底材料;平均投影射程;標準偏差;高斯分布
參考答案:降低;增加基區(qū)寬度(即P-NMOS管的間距和阱深);增加基區(qū)摻雜;保護環(huán);采用深槽隔離;采用SOI材料作襯底
參考答案:當電子和原子或者分子碰撞時,電子沒有脫離核的束縛,而是躍遷到更高的能級叫激發(fā)。處于激發(fā)狀態(tài)的電子落回到基態(tài)或者最低能級叫...
5.名詞解釋MPW多項目晶圓
參考答案:是將多個使用相同工藝的集成電路設計放在同一晶圓片上流片,單次制造費用由所有參加MPW的項目按照芯片面積分攤,減小產(chǎn)品開發(fā)...
6.名詞解釋歐姆接觸
參考答案:當金屬與半導體的接觸電阻小到可忽略不計時,稱為歐姆接觸。
參考答案:最主要的是用于亞微米光刻的投影掩膜版襯底材料是熔融石英。不透明材料是一薄層鉻。
參考答案:Liftoff技術(shù)是一種有別與干法和濕法刻蝕的介質(zhì)薄膜,特別是金屬薄膜特殊剝離去除技術(shù)
優(yōu)點是:樣品不必做實際...