微電子學(xué)判斷題每日一練(2020.05.04)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.判斷題對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，如果反偏電壓降低，耗盡區(qū)寬度將減小。

2.判斷題用來(lái)制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，這是因?yàn)椋?00）面的表面狀態(tài)更有利于控制MOS器件開態(tài)和關(guān)態(tài)所要求的閾值電壓。

3.判斷題對(duì)于發(fā)光二極管，其內(nèi)量子效率比外量子效率小。

4.判斷題對(duì)于處于飽和區(qū)的MOS晶體管，漏源電流隨其寬長(zhǎng)比的增大而增大。

5.判斷題微電子技術(shù)的核心是集成電路，中央處理器是集成電路的標(biāo)志性產(chǎn)品之一。