微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2020.03.15)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題簡單解釋費(fèi)米能級和準(zhǔn)費(fèi)米能級，說明它們的主要區(qū)別。

2.問答題MOS管的開啟電壓有那些因素決定？

參考答案：由柵下半導(dǎo)體中的載流子濃度、柵氧化層的厚度、柵氧化層的固定電荷密度、可動(dòng)電荷密度、界面態(tài)密度等有關(guān)

3.填空題曝光后顯影時(shí)感光的膠層溶解了，沒有感光的膠層不溶解留下了，這種膠稱為（）膠。

4.問答題寫出單晶硅太陽能電池的主要工藝。

參考答案：1. 去除損傷層
2. 表面絨面化
3. 發(fā)射區(qū)擴(kuò)散
4.&...

5.問答題解釋APCVD，使用APCVD SiO₂的主要問題是什么，是用硅烷作為反應(yīng)源嗎？

參考答案：常壓化學(xué)氣相淀積；傳統(tǒng)上這些膜通常作為層間介質(zhì)（ILD），保護(hù)覆蓋物或者表面平坦化；不是使用硅烷作為反應(yīng)源。

6.名詞解釋Die芯片裸片

參考答案：以硅工藝為例，一般把整片的硅片叫做wafer，通過工藝流程后每一個(gè)單元會被劃片，封裝。在封裝前的單個(gè)單元的裸片叫做die...

7.填空題金屬-半導(dǎo)體接觸分：（）三種。當(dāng)半導(dǎo)體襯底濃度低于（）時(shí)，只能產(chǎn)生（），當(dāng)半導(dǎo)體襯底濃度高于（）時(shí) 可實(shí)現(xiàn)（）。

參考答案：肖特基接觸、歐姆接觸和合金接觸；10¹⁷/cm³；肖特基接觸；10²⁰/cm³；歐姆接觸

8.問答題在雙極集成電路和MOS集成電路工藝中，為什么都要用外延層？

參考答案：在雙極集成電路工藝中，采用高阻的外延層可提高集電結(jié)的擊穿電壓，而其低阻的襯底（或埋層）可降低集電極的串聯(lián)電阻。在MOS集...

9.問答題簡述硅的基本性質(zhì)？它的優(yōu)點(diǎn)？

10.問答題Si片定位邊或定位槽的作用是什么？

參考答案：Si片定位邊或定位槽有三個(gè)主要的作用：
①識別晶向、導(dǎo)電類型及劃片方向；
②硅片（晶錠）機(jī)械加工定位...