半導(dǎo)體材料問答題每日一練(2020.04.17)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題半導(dǎo)體工藝技術(shù)的主要摻雜工藝包括哪兩種？

擴(kuò)散和離子注入

2.問答題硅突變pn結(jié)N_A=5×10¹⁸cm^-3，N_D=1.5×10¹⁶cm^-3，設(shè)pn結(jié)擊穿時的最大電場為E_c=5×10⁵V/cm，計算pn結(jié)的擊穿電壓。

3.問答題將圓柱形的單晶硅錠制備成硅片需要哪些工藝流程？

整形處理，切片，磨片和倒角，刻蝕，拋光，清洗，硅片評估，包裝。

4.問答題描述凈化間的舞廳式布局。

凈化間的舞廳式布局為大的制造間具有10000級的級別，層流工作臺則提供一個100級的生產(chǎn)環(huán)境。

5.問答題光刻的本質(zhì)是什么？

光刻就是將掩膜版（光刻版）上的幾何圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面的對光輻照敏感的薄膜材料（光刻膠）上去的工藝過程。