半導體材料章節(jié)練習(2020.02.24)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：漩渦缺陷：微觀上漩渦條紋由大量的淺蝕坑組成。是條紋處出現(xiàn)密集的平底淺坑單晶或腐蝕小丘單晶。
位錯缺陷：它屬于... 參考答案：晶體內(nèi)的原子是按一定的原則周期性地排列著的。如果在晶體中的一些區(qū)域，這種排列遭到破壞，我們稱這種破壞為晶體缺陷。晶體缺陷... 參考答案：
熱平衡狀態(tài)下pn結內(nèi)p區(qū)與n區(qū)的靜電電勢差。
參考答案：第一步：用碳加熱硅石來制備冶金級硅
第二步：通過化學反應將冶金級硅提純以生成三氯硅烷
第三步：利用西... 參考答案：
電子和空穴的復合伴隨著吸收其他粒子所釋放的能量，是一個非輻射復合過程。
參考答案：
光刻膠顯影是指用化學顯影液溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區(qū)域，其主要目的是把掩膜版圖形準確復制到光刻膠中。
參考答案：電子和（或）空穴穿越空間電荷區(qū)時，與空間電荷區(qū)內(nèi)原子的電子發(fā)生碰撞產(chǎn)生電子-空穴對，在pn結內(nèi)形成一股很大的反偏電流，這... 參考答案：
當晶體管柵偏置電壓低于閾值反型點時，MOSFET中的導電過程。
參考答案：
由于吸收光子而在半導體器件中產(chǎn)生過剩載流子，從而形成的電流。
