半導(dǎo)體材料章節(jié)練習(xí)(2019.04.29)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題給出半導(dǎo)體質(zhì)量測(cè)量的定義。例出在集成電路制造中12種不同的質(zhì)量測(cè)量。

參考答案：半導(dǎo)體質(zhì)量測(cè)量定義了硅片制造的規(guī)范要求，以確保滿足器件的性能和可靠性。集成電路制造中的12種不同的質(zhì)量測(cè)量：
...

2.填空題金相顯微鏡（），照明系統(tǒng)，機(jī)械系統(tǒng)幾部分構(gòu)成。

參考答案：光學(xué)系統(tǒng)

3.名詞解釋線性緩變結(jié)

冶金結(jié)兩側(cè)的摻雜濃度可以由線性分布近似的pn結(jié)。

4.問答題從微觀上看，漩渦缺陷與錯(cuò)位缺陷有什么區(qū)別？

參考答案：漩渦缺陷：微觀上漩渦條紋由大量的淺蝕坑組成。是條紋處出現(xiàn)密集的平底淺坑單晶或腐蝕小丘單晶。
位錯(cuò)缺陷：它屬于...

5.名詞解釋復(fù)合電流

穿越空間電荷區(qū)時(shí)發(fā)生復(fù)合的電子與空穴所產(chǎn)生的正偏pn結(jié)電流。

6.填空題當(dāng)任何一種高速運(yùn)動(dòng)的（）與一塊金屬物質(zhì)相撞時(shí)，都會(huì)產(chǎn)生X射線。

7.名詞解釋發(fā)射極注入效率系數(shù)

參考答案：共基極電流增益的一個(gè)系數(shù)，描述了載流子從基區(qū)向發(fā)射區(qū)的注入。

8 半導(dǎo)體工業(yè)所用的硅單晶（）是用CZ法生長(zhǎng)的。

9.問答題氧化物有哪兩個(gè)生長(zhǎng)階段？

化學(xué)反應(yīng)控制階段和擴(kuò)散控制階段

10.名詞解釋電阻-應(yīng)變效應(yīng)

參考答案：電阻-應(yīng)變效應(yīng)是指金屬導(dǎo)體的電阻在導(dǎo)體受力產(chǎn)生變形（伸長(zhǎng)或縮短）時(shí)發(fā)生變化的物理現(xiàn)象。當(dāng)金屬電阻絲受到軸向拉力時(shí)，其長(zhǎng)度...