半導體材料章節(jié)練習(2020.04.17)

來源：考試資料網

1.名詞解釋擴散電阻

擴散電導的倒數。

2.問答題說明不同的固液生長界面形狀（凸、凹、平）對電阻率徑向分布的影響。

3 正常凝固是最寬熔區(qū)的區(qū)域提純，在進行第一次熔化過后，能不能進入第二次提純這個階段（）.

4.問答題GaAs成為繼Si之后重要半導體材料的重要特征有哪些？

5.名詞解釋反偏

pn結的n區(qū)相對于p區(qū)加正電壓，從而使p區(qū)與n區(qū)之間勢壘的大小超過熱平衡狀態(tài)時勢壘的大小。

6.問答題x射線性質都有哪些？

參考答案：感光作用，熒光作用，電離作用，穿透能力強。x射線的折射率近視于1，衍射作用。

7.問答題例舉并描出旋轉涂膠的4個基本步驟。

參考答案：1，分滴，當硅片靜止或者旋轉得非常緩慢時，光刻膠被分滴在硅片上
2，旋轉鋪開，快速加速硅片的旋轉到一高的轉速使...

8.名詞解釋柵氧化層電容

參考答案：氧化層介電常數與氧化層厚度之比，表示的是單位面積的電容，記為Cox。

9.問答題假定兩種半導體除禁帶寬度以外的其他性質相同，材料1的禁帶寬度為1.1eV，材料2的禁帶寬度為3.0eV，計算兩種半導體材料的本征載流子濃度比值，哪一種半導體材料更適合制作高溫環(huán)境下工作的器件？

10 下列不屬于三氯氫硅性質的是（）。