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微電子學(xué)問答題每日一練(2020.04.19)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題簡述外延的軟誤差

參考答案：①定義：從封裝材料中輻射出的α粒子進(jìn)入襯底產(chǎn)生大量（約106量級(jí)）電子-空穴對(duì)，在低摻雜MOS襯底中，電子-...

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2.問答題氮化硅在IC芯片上的用途

參考答案：1、硅局部氧化形成過程中，作為阻擋氧氣擴(kuò)散的遮蔽層。
2、作為化學(xué)拋光的遮擋層。
3、用于形成側(cè)壁空...

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3.問答題說明工藝及產(chǎn)品趨勢(shì)

參考答案：

4.問答題什么是硅片，什么是襯底，什么是芯片？

參考答案：

硅片是指由單晶硅切成的薄片；
芯片也稱為管芯（單數(shù)和復(fù)數(shù)芯片或集成電路）；
硅圓片通常稱為襯底。

5.問答題MOS管的開啟電壓有那些因素決定？

參考答案：由柵下半導(dǎo)體中的載流子濃度、柵氧化層的厚度、柵氧化層的固定電荷密度、可動(dòng)電荷密度、界面態(tài)密度等有關(guān)