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問答題氮化硅在IC芯片上的用途

1.問答題影響擴(kuò)散工藝中雜質(zhì)分布的因素

1、時(shí)間與溫度，恒定表面源主要是時(shí)間。
2、硅晶體中存在其他類型的點(diǎn)缺陷

2.問答題簡述柵氧化層生長的典型干法氧化工藝流程

3.問答題列舉IC芯片制造過程中熱氧化SiO₂的用途？

1、原生氧化層
2、屏蔽氧化層
3、遮蔽氧化層
4、場區(qū)和局部氧化層
5、襯墊氧化層
6、犧牲氧化層
7、柵極氧化層
8、阻擋氧化層

4.問答題簡述晶圓的制造步驟

1、整形處理：去掉兩端，檢查電阻確定單晶硅達(dá)到合適的摻雜均勻度。
2、切片
3、磨片和倒角
4、刻蝕
5、化學(xué)機(jī)械拋光

5.問答題CZ法提單晶的工藝流程。說明CZ法和FZ法。比較單晶硅錠CZ、MCZ和FZ三種生長方法的優(yōu)缺點(diǎn)。