最新試題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
新的平坦化方法有哪幾個？（）
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。
CMP的設備構成包括（）。
厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
