單項(xiàng)選擇題32K×8位SRAM芯片,地址線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)分別為()條。

A.32和8
B.16和8
C.15和8
D.14和8


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1.單項(xiàng)選擇題十六路數(shù)據(jù)選擇器的地址輸入端有()個(gè)。

A.16個(gè)
B.2個(gè)
C.4個(gè)
D.8個(gè)

3.單項(xiàng)選擇題十進(jìn)制數(shù)1997的十六進(jìn)制數(shù)是()

A.7CDH
B.8CEH
C.9ABH
D.747H

4.單項(xiàng)選擇題下列電路中,不屬于組合邏輯電路的是()

A.編碼器
B.譯碼器
C.數(shù)據(jù)選擇器
D.計(jì)數(shù)器

5.單項(xiàng)選擇題下面器件中,()是非易失性存儲(chǔ)器。

A.RAM
B.EEPROM
C.DRAM
D.SRAM

最新試題

輸出端不能直接線(xiàn)與的門(mén)電路有()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X,最小反相器(1X)延遲時(shí)間為2,對(duì)于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)(圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力),該輸出單元的延遲時(shí)間(從a到y(tǒng))最接近于()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

?構(gòu)成數(shù)字電路最基本的器件主要有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

TTL門(mén)電路具有負(fù)載能力強(qiáng)、抗干擾能力強(qiáng)和轉(zhuǎn)換速度高等特點(diǎn)。

題型:判斷題

?若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X,對(duì)于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)(圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力),該輸出單元的延遲時(shí)間(從a到y(tǒng))相當(dāng)于()個(gè)內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)門(mén)級(jí)聯(lián)的延遲時(shí)間。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

?十進(jìn)制數(shù)178.5對(duì)應(yīng)的余3碼是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

?利用開(kāi)關(guān)代數(shù)的公理或定理,判斷與(x+y’)’等價(jià)的邏輯關(guān)系為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

?BCD碼譯碼器如果不允許輸入大于9的數(shù)值的時(shí)候,當(dāng)輸入10時(shí),輸出為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X,最小反相器(1X)延遲時(shí)間為2,對(duì)于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)(圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力),該輸出單元的延遲時(shí)間(從a到y(tǒng))最接近于()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

電路結(jié)構(gòu)如圖所示,該電路是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題