最新試題
哪種化學氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。
例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
例舉并描出旋轉涂膠的4個基本步驟。
解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？
解釋什么是暗場掩模板？
解釋掃描投影光刻機是怎樣工作的？掃描投影光刻機努力解決什么問題？
描述RF濺射系統(tǒng)。
例出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。
解釋發(fā)生刻蝕反應的化學機理和物理機理。
例舉離子注入設備的5個主要子系統(tǒng)。