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Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆蓋。所需數(shù)據(jù)見下表，玻爾茲曼常數(shù)k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時(shí)間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時(shí)間？
最新試題
例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點(diǎn)。
例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？
解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
解釋什么是暗場(chǎng)掩模板？
離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？
例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
例舉雙大馬士革金屬化過程的10個(gè)步驟。
什么是結(jié)深？
描述電子回旋共振（ECR）。
