問答題CVD淀積過程中兩個(gè)主要的限制步驟是什么?它們分別在什么情況下會(huì)支配整個(gè)淀積速率?
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
最新試題
例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。
題型:問答題
解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別?為什么正膠是普遍使用的光刻膠?最常用的正膠是指哪些膠?
題型:問答題
敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
題型:問答題
例出光刻的8個(gè)步驟,并對每一步做出簡要解釋。
題型:問答題
什么是結(jié)深?
題型:問答題
描述電子回旋共振(ECR)。
題型:問答題
干法刻蝕的目的是什么?例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么?
題型:問答題
解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
題型:問答題
解釋掃描投影光刻機(jī)是怎樣工作的?掃描投影光刻機(jī)努力解決什么問題?
題型:問答題
例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
題型:問答題