單項(xiàng)選擇題根據(jù)擴(kuò)散系數(shù)的定義，其受以下哪個(gè)因素的影響最大？（）

A.雜質(zhì)類(lèi)型
B.擴(kuò)散時(shí)間
C.雜質(zhì)激活能
D.溫度


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1.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的微觀機(jī)制包括間隙式擴(kuò)散和（）。

A.面擴(kuò)散
B.均勻擴(kuò)散
C.梯度擴(kuò)散
D.替位式擴(kuò)散

2.多項(xiàng)選擇題氧化硅在集成電路制造中有哪些應(yīng)用？（）

A.屏蔽層
B.柵氧化層
C.犧牲層
D.襯墊層

3.單項(xiàng)選擇題?下列哪種工藝所制備的氧化層質(zhì)量最好？（）

A.水汽氧化
B.干氧氧化
C.濕氧氧化
D.化學(xué)氣相淀積

5.多項(xiàng)選擇題硅片制備最先進(jìn)的拋光工藝是（）。

A.化學(xué)拋光
B.機(jī)械拋光
C.化學(xué)機(jī)械拋光
D.CMP