給定器件結(jié)構(gòu)和摻雜分布，采用數(shù)值方法直接求解器件的基本方程，得到直流（DC.、交流（AC.、瞬態(tài)特性和某些電學參數(shù)））。
A.系統(tǒng)功能設(shè)計B.邏輯和電路設(shè)計C.版圖設(shè)計
最新試題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
摻雜后，退火的目的是（）。
消除鳥嘴效應的方法有（）。
光刻工藝對準誤差包括（）。
鳥嘴效應造成的不良影響有（）。
摻雜后退火時間一般在（）。
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）