給定器件結(jié)構(gòu)和摻雜分布，采用數(shù)值方法直接求解器件的基本方程，得到直流（DC.、交流（AC.、瞬態(tài)特性和某些電學(xué)參數(shù)））。
A.系統(tǒng)功能設(shè)計B.邏輯和電路設(shè)計C.版圖設(shè)計
最新試題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
摻雜后，退火的目的是（）。
光刻工藝的特點包括（）。
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
新的平坦化方法有哪幾個？（）
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）