填空題遷移率反映的是載流子（）在單位電場作用下的平均漂移速度。
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最新試題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
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光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
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當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
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CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
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光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
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金屬化中可選用的金屬材料有（）。
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題型：多項(xiàng)選擇題