填空題一般認(rèn)為MOS集成電路功耗低、（），宜用作數(shù)字集成電路。
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最新試題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題