單項選擇題砂漿回彈法不適用于砂漿強度小于（）的墻體，水平灰縫表面粗糙且難以磨平時，不得采用。
A.2MPa
B.2.5MPa
C.3MPa
D.4MPa
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1.單項選擇題推出法不宜用于當(dāng)水平灰縫的砂漿飽滿度低于（）的墻體。
A.55%
B.60%
C.65%
D.70%
2.單項選擇題切制抗壓試件法取樣部位每側(cè)的墻體寬度不應(yīng)小于（），且應(yīng)為墻體長度方向的中部或受力較小處。
A.1m
B.1.5m
C.1.8m
D.2m
3.單項選擇題扁頂法不適用于測試墻體破壞荷載大于（）KN的墻體。
A.300
B.350
C.400
D.450
4.單項選擇題原位軸壓法僅限用于（）厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
5.單項選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法，檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用（）。
A.點荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題