單項選擇題正常凝固是最寬熔區(qū)的區(qū)域提純，在進行第一次熔化過后，能不能進入第二次提純這個階段（）.

A、能
B、不能
C、不確定
D、有時可以，有時不可以


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2.單項選擇題制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是（）.

A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液

3.單項選擇題測量硅中氧濃度常用的方法是（）.

A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法

5.單項選擇題列多晶硅生長過程中需要通入氬氣做保護氣的是（）.

A.加熱
B.化料
C.晶體生長
D.冷卻