單項(xiàng)選擇題（）工藝就是往晶圓片中注入離子，生成相應(yīng)的P、N類半導(dǎo)體的工藝。
A.氧化
B.摻雜
C.光刻
D.蝕刻
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1.單項(xiàng)選擇題集成電路制造過(guò)程中，把版圖轉(zhuǎn)移到晶圓的過(guò)程叫（）。
A.設(shè)計(jì)規(guī)則
B.封裝
C.光刻
D.測(cè)試
2.單項(xiàng)選擇題通常講的28nm工藝，是指（）。
A.wafer的直徑
B.管芯的大小
C.晶體管的面積
D.晶體管溝道長(zhǎng)度
3.單項(xiàng)選擇題下列電路實(shí)現(xiàn)形式中，哪一種是無(wú)比邏輯？（）
A.NMOS
B.CMOS
C.TTL
D.ECL
4.單項(xiàng)選擇題下列表達(dá)式中，和Y=（A+B）·（C·D）邏輯等價(jià)的是（）
A.Y=（A·B）·（C+D）
B.Y=（A+B）+（C+D）
C.Y=（A·B）·（C·D）
D.Y=！（（A·B）·（C+D））
5.單項(xiàng)選擇題對(duì)于硅基CMOS電路，一個(gè)2輸入或非門的邏輯努力是（）。
A.1
B.4/3
C.5/3
D.3
最新試題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說(shuō)法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型：判斷題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型：判斷題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型：判斷題
制造和封裝工藝過(guò)程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題