單項(xiàng)選擇題集成電路制造過(guò)程中,把版圖轉(zhuǎn)移到晶圓的過(guò)程叫()。
A.設(shè)計(jì)規(guī)則
B.封裝
C.光刻
D.測(cè)試
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1.單項(xiàng)選擇題通常講的28nm工藝,是指()。
A.wafer的直徑
B.管芯的大小
C.晶體管的面積
D.晶體管溝道長(zhǎng)度
2.單項(xiàng)選擇題下列電路實(shí)現(xiàn)形式中,哪一種是無(wú)比邏輯?()
A.NMOS
B.CMOS
C.TTL
D.ECL
3.單項(xiàng)選擇題下列表達(dá)式中,和Y=(A+B)·(C·D)邏輯等價(jià)的是()
A.Y=(A·B)·(C+D)
B.Y=(A+B)+(C+D)
C.Y=(A·B)·(C·D)
D.Y=!((A·B)·(C+D))
4.單項(xiàng)選擇題對(duì)于硅基CMOS電路,一個(gè)2輸入或非門(mén)的邏輯努力是()。
A.1
B.4/3
C.5/3
D.3
5.單項(xiàng)選擇題
下圖所示電路屬于()負(fù)反饋放大電路。
A.電壓串聯(lián)負(fù)反饋
B.電流串聯(lián)負(fù)反饋
C.電壓并聯(lián)負(fù)反饋
D.電流并聯(lián)負(fù)反饋
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鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型:判斷題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型:判斷題
因?yàn)镼FP封裝的可靠性高,且其封裝外形尺寸較小,寄生參數(shù)減小,故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型:判斷題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
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題型:多項(xiàng)選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線(xiàn)框(L/F),對(duì)設(shè)定的電性能無(wú)法調(diào)整,而B(niǎo)GA可以通過(guò)芯片片基結(jié)構(gòu)的變更,得到所需的電性能。
題型:判斷題
鍵合常用的劈刀形狀,下列說(shuō)法正確的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
AUBM的形成可以采用()方法。
題型:多項(xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線(xiàn)鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題