A.全擺幅
B.無(wú)比邏輯
C.無(wú)靜態(tài)功耗(忽略器件漏電流)
D.低阻抗輸出
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A.靜態(tài)互補(bǔ)CMOS邏輯
B.動(dòng)態(tài)邏輯
C.傳輸管邏輯
D.偽NMOS邏輯
A.靜態(tài)互補(bǔ)CMOS
B.偽NMOS
C.CPL
D.差分多米諾邏輯
A.一級(jí)多米諾邏輯由一個(gè)動(dòng)態(tài)邏輯門(mén)和一個(gè)靜態(tài)反相邏輯門(mén)串聯(lián)而成
B.彼此串聯(lián)的一組多米諾邏輯的預(yù)充和求值是并行進(jìn)行的,因此速度很快
C.多米諾邏輯工作的最高時(shí)鐘頻率主要由各級(jí)門(mén)的求值時(shí)間之和決定
D.為了提高性能,多米諾邏輯中的輸出反相器往往采用high-skew反相器
A.VDD/2
B.閾值電壓VT
C.VDD
D.VDD-VT
A.互補(bǔ)CMOS邏輯門(mén)的下降速度更快,靜態(tài)功耗更高
B.互補(bǔ)CMOS邏輯的下降速度更快,靜態(tài)功耗更低
C.偽NMOS邏輯的下降速度更快,靜態(tài)功耗更高
D.偽NMOS邏輯的下降速度更快,靜態(tài)功耗更低
最新試題
倒裝芯片的連接方式有()。
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展,同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng),()再次來(lái)到大眾視線
為了獲得好的性能,塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn),說(shuō)法正確的是()。
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
電子封裝是指對(duì)電路芯片進(jìn)行包裝,進(jìn)而保護(hù)電路芯片,以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類,說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。