A.靜態(tài)互補CMOS
B.偽NMOS
C.CPL
D.差分多米諾邏輯
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A.一級多米諾邏輯由一個動態(tài)邏輯門和一個靜態(tài)反相邏輯門串聯(lián)而成
B.彼此串聯(lián)的一組多米諾邏輯的預(yù)充和求值是并行進(jìn)行的,因此速度很快
C.多米諾邏輯工作的最高時鐘頻率主要由各級門的求值時間之和決定
D.為了提高性能,多米諾邏輯中的輸出反相器往往采用high-skew反相器
A.VDD/2
B.閾值電壓VT
C.VDD
D.VDD-VT
A.互補CMOS邏輯門的下降速度更快,靜態(tài)功耗更高
B.互補CMOS邏輯的下降速度更快,靜態(tài)功耗更低
C.偽NMOS邏輯的下降速度更快,靜態(tài)功耗更高
D.偽NMOS邏輯的下降速度更快,靜態(tài)功耗更低
A.在芯片當(dāng)中的任一位置上放置一個電容
B.靠近大的驅(qū)動器的地方應(yīng)該放置去耦電容
C.電源線下方應(yīng)該放置去耦電容
D.盡量遠(yuǎn)離要穩(wěn)定的電源電壓的電路
A.可以減小各處電路的電源/地線上的寄生電阻
B.可以減小流過電源/地線上的電流
C.可以使得芯片各處的電源/地線上的寄生電阻相等
D.增大導(dǎo)線的對地電容,濾除電壓的波動
最新試題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
鍵合常用的劈刀形狀,下列說法正確的是()。
AUBM的形成可以采用()方法。
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形()。
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
載帶自動焊使用的凸點形狀一般有蘑菇凸點和柱凸點兩種。
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個工序,而倒裝芯片則合二為一。