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填空題氧化時(shí)（）稱為分凝效應(yīng)。B在氧化硅中的含量高于Si襯底中的含量，分凝系數(shù)（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si襯底中含量，分凝系數(shù)（）1。

參考答案： 硅中的雜質(zhì)濃度與SiO₂中濃度出現(xiàn)差別的現(xiàn)象；小于；大于

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1.填空題 Si襯底上熱氧化的機(jī)理由（）模型確定。氧化反應(yīng)的快慢與三個(gè)因素有關(guān)，即：（）。氧化層厚度的理論計(jì)算公式為：式中A、B為與擴(kuò)散率成正比的常數(shù)，τ為由（）決定的時(shí)間修正系數(shù)。

參考答案：迪爾－格羅夫；溫度、氧化劑濃度和表面電勢(shì)；初始厚度

2.填空題由于O₂在SiO₂中的擴(kuò)散率遠(yuǎn)（）于Si 在SiO₂中的擴(kuò)散率，所以氧化反應(yīng)是由O₂穿過SiO₂層，在（）界面與Si原子反應(yīng)。相同溫度下，濕氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因?yàn)樵赟iO₂中，H₂O比O₂有更（）的擴(kuò)散率和溶解度。由于N₂和Si在Si₃N₄中的擴(kuò)散率都很（），所以很難在Si襯底上熱生長(zhǎng)Si₃N₄。通常在Si襯底上用（）法沉積Si₃N₄薄膜。

參考答案：高；Si-SiO₂；高；高；低；PECVD

3.填空題擴(kuò)散系統(tǒng)主要有以下四部分組成：（）

參考答案：爐體與爐管、氣體系統(tǒng)、溫度和氣源控制系統(tǒng)、裝片系統(tǒng)

4.填空題擴(kuò)散分布的主要測(cè)量方法有：（）。

參考答案：四探針測(cè)電阻率、擴(kuò)展電阻測(cè)載流子分布、霍爾效應(yīng)測(cè)電阻率、染色法測(cè)結(jié)深、二次離子質(zhì)譜測(cè)雜質(zhì)分布、盧瑟福背散射測(cè)重雜質(zhì)分布

5.填空題擴(kuò)散的目的是為了實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體摻雜，雜質(zhì)擴(kuò)散的深度與（）有關(guān)，服從（）。雜質(zhì)擴(kuò)散通常分為等表面濃度擴(kuò)散，也（），和固定雜質(zhì)總量擴(kuò)散，也稱（）。預(yù)淀積的分布是（）函數(shù)，再分布擴(kuò)散的雜質(zhì)呈（）函數(shù)分布。

參考答案：雜質(zhì)濃度梯度、擴(kuò)散溫度、擴(kuò)散時(shí)間；費(fèi)克定律；預(yù)淀積；再分布擴(kuò)散；余誤差；高斯