問答題外延工藝按方法可分為哪些?
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3.單項(xiàng)選擇題正常凝固是最寬熔區(qū)的區(qū)域提純,在進(jìn)行第一次熔化過(guò)后,能不能進(jìn)入第二次提純這個(gè)階段().
A、能
B、不能
C、不確定
D、有時(shí)可以,有時(shí)不可以
4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)晶體生長(zhǎng)的較快,內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少,晶體的電阻率().
A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定
5.單項(xiàng)選擇題制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是().
A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液
最新試題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型:判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型:判斷題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題